Samsung, dopo l’annuncio di luglio della produzione di memorie DDR4 da 16GB per server, ha negli ultimi giorni mostrato un nuovo modulo e mostrato la sua roadmap dei prossimi anni riguardo lo sviluppo dei suoi moduli di memoria DDR4.

Stiamo parlando del modulo da 16 GB PC4-17000 (2133MHz) basata su chip K4A46045QB mostrato durante l’IDF di San Francisco che, a differenza di quello annunciato nel mese di luglio, ha un chip switch/buffer prodotto da IDT (Integrated Device Technology) e non da Texas Instruments, stando a quanto affermato da X-bit Labs.

La roadmap di Samsung

Inoltre per il futuro Samsung ha le idee ben chiare, intende infatti portare la frequenza dei moduli DDR4 sperimentali a 2400 MHz nel prossimo anno, per poi arrivare nel 2014 con prodotti commerciali per server a 2666 MHz fino a raggiungere successivamente una velocità di 3200 MHz.

Samsung DDR4 – Roadmap

Vantaggi e svantaggi

I vantaggi di questi moduli non riguardano solo la velocità, ma anche i consumi e nuove funzionalità. Si parla infatti di 1.2 volt, ossia una riduzione del 40% rispetto alle DDR3 (1.35 volt), e di un nuovo schema di terminazione tramite cui il bus DQ delle DDR4 sposta la terminazione sulla VDDQ, che rimarrà stabile anche in caso di calo della tensione VDD (la tensione fornita ai buffer di I/O) nel corso del tempo.

Risulta però presente anche un aspetto negativo: ogni canale di memoria supporterà un solo modulo. Risulterà quindi necessario l’utilizzo della tecnologia through-silicon-via (TSV), che permetterà di impilare chip di memoriia e favorire così l’aumento della capacità su singolo canale. Per quanto riguarda invece l’ambito server, in cui è richiesta un maggior quantitativo di RAM, sarà possibile aggirare tale limitazione implementando speciali switch, bisognerà poi verificare se tale soluzione inciderà su altri aspetti come ad esempio i consumi complessivi.

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